| 发明名称 | 等离子体处理方法、半导体基板以及等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明对于半导体基板的表面通过利用了微波的等离子体，同时进行等离子体氧化处理和氮化处理，还根据需要，在基于所述那种等离子体氧氮化处理而形成绝缘膜之后，再对该绝缘膜进一步进行等离子体氮化处理。由此，可以形成电气性能良好的绝缘膜(硅氧化膜)。 | ||
| 申请公布号 | CN100429753C | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200480003663.3 | 申请日期 | 2004.02.05 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 北川淳一 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种使用等离子体对处理容器内的半导体基板形成绝缘膜的等离子体处理方法，其特征在于，、在同一处理时供给非活性气体和氧气和氮气，通过从作为天线的槽板导入的微波对所述非活性气体和氧气和氮气进行等离子体激发，通过由所述等离子体对所述基板表面进行氧氮化处理，在所述基板表面形成氧氮化膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||