| 发明名称 | 用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜及其制备工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于铜互连的Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其质量百分比为1.5％～7.8％的Al、8.4％～11.5％的N和余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。本发明还公开了一种制备该Ta－Al－N扩散阻挡层薄膜的工艺，具体来说采用磁控溅射法来制备。该Ta－Al－N薄膜经900℃退火5分钟后，其阻挡特性才失效。与传统Ta－N或Ta/Ta－N阻挡层相比，本发明的Ta－Al－N薄膜在保持了传统阻挡层材料良好黏附性和低电阻率的同时，由于少量Al的加入，可有效提高其阻挡性能；同时少量Al的存在，使薄膜表面易于形成极薄的氧化铝薄层，有效避免了阻挡层的氧化。 | ||
| 申请公布号 | CN101295704A | 申请公布日期 | 2008.10.29 |
| 申请号 | CN200810031500.6 | 申请日期 | 2008.06.16 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 周继承;李幼真;赵保星;陈海波;刘正;陈勇民 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01) | 主分类号 | H01L23/532(2006.01) |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 | 代理人 | 颜勇 |
| 主权项 | 1、一种用于铜互连的Ta-Al-N扩散阻挡层薄膜，其特征在于，其组分为质量百分比为1.5％～7.8％的Al，8.4％～11.5％的N，余量为Ta，用多靶磁控溅射方法制备而成。 | ||
| 地址 | 410083湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号 | ||