| 发明名称 | 硅晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 硅晶片，其具有对角线长度为10nm至50nm的BMD，其中存在于距离硅晶片表面的深度为等于或深于50μm的位置上的BMD的密度为等于或大于1×1011/cm3，且{111}面在围绕BMD的所有的面中的比例作为BMD形态为等于或小于0.3。 | ||
| 申请公布号 | CN102148155B | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201010621534.8 | 申请日期 | 2010.12.28 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | 中居克彦 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 硅晶片，其中所述硅晶片的氮浓度为1.5×1014个原子/cm3至5×1015个原子/cm3，碳浓度为3×1015个原子/cm3至2×1017个原子/cm3，氧浓度为8×1017个原子/cm3至9×1017个原子/cm3，所述硅晶片具有对角线长度为10nm至50nm的BMD，对角线长度是BMD正交投影在任一个｛110｝面上的平面图像中在〈100〉方向上的长度，其中存在于距离硅晶片表面的深度为等于或深于50μm的位置上的BMD的密度为等于或大于1×1011/cm3，且｛111｝面在围绕BMD的所有的面中的比例作为所述BMD的形态为等于或小于0.3，其中所述比例是当BMD在〈110〉方向上投影时作为｛111｝面的长度与周长的总长度的比例确定的。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||