发明名称 用于低压非挥发存储器的字线升压电路
摘要 本发明公开了一种用于低压非挥发存储器的字线升压电路,利用阈值电压作为判断的电压,使电源电压和字线电压在同一路判断,并且反馈控制升压电路,当电源电压比较低时,把字线电压升到一定值,当电源电压足够高时,就不需要提高字线电压,使整个系统达到稳定状态,得到需要的字线电压。本发明电路结构简单、可以减少产品中的电路版图面积、功耗小。
申请公布号 CN100426420C 申请公布日期 2008.10.15
申请号 CN200410084518.4 申请日期 2004.11.24
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 朱瑶华
分类号 G11C16/08(2006.01) 主分类号 G11C16/08(2006.01)
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
主权项 1、一种用于低压非挥发存储器的字线升压电路,包括一升压电路,其特征在于:第一PMOS管(MP2)与电流源(Ic)串接在电源电压(VDD)与地线之间,第二PMOS管(MP3)与第一NMOS管(MN3)串接在电源电压(VDD)与地线之间,第二NMOS管(MN4)与第三PMOS管(MP5)、第三NMOS管(MN6)、第四NMOS管(MN7)串接在电源电压(VDD)与地线之间,第一PMOS管(MP2)的栅极与其漏极和第二PMOS管(MP3)的栅极连接,第一NMOS管(MN3)的栅极与第四NMOS管(MN7)的栅极和漏极连接,第三PMOS管(MP5)的栅极和漏极与第三NMOS管(MN6)的栅极和源极相连接,第二NMOS管(MN4)的栅极与电源电压(VDD)连接,第一反相器和第二反相器(F1、F2)串联后,第一反相器(F1)的输入端与第二PMOS管(MP3)的漏极和第一NMOS管(MN3)的漏极连接在一起,第一反相器(F1)的输入端、第二PMOS管(MP3)的漏极和第一NMOS管(MN3)的漏极连接在一起的节点称为A点,第二反相器(F2)的输出端作为升压控制信号输入升压电路,升压电路输出的字线电压(Vcp)连接至第二NMOS管(MN4)的源极与第三PMOS管(MP5)的源极的接点;当电源电压(VDD)大于第二NMOS管(MN4)、第三PMOS管(MP5)、第三NMOS管和第四NMOS管(MN6、MN7)的阈值电压之和时,A点电压比较低,升压控制信号输出为低,升压电路不工作,当电源电压(VDD)小于上述四个管子的阈值电压之和时,A点电压比较高,升压控制信号输出为高,升压电路开始工作,使字线电压(Vcp)升压,当字线电压(Vcp)电压升高到第三PMOS管(MP5)、第三NMOS管和第四NMOS管(MN6、MN7)的阈值电压之和时,A点电压下降,升压控制信号输出升高,升压电路停止工作,字线电压(Vcp)升压停止。
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