Verfahren zum Herstellen eines Nanodraht-Transistors, Nanodraht-Transistor-Struktur und Nanodraht-Transistor-Feld

摘要

In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Nanodraht-Transistors bereitgestellt, bei dem zumindest ein Teil eines Halbleiter-Trägers oxidiert wird, wobei der Halbleiter-Träger einen ersten Träger-Bereich und einen zweiten Träger-Bereich, welcher auf oder über dem ersten Träger-Bereich angeordnet ist, aufweist. Gemäß dem Verfahren wird ein Teil des oxidierten Teils entfernt, womit ein Oxid-Abstandshalter zwischen einem Teil des zweiten Träger-Bereichs und dem ersten Träger-Bereich gebildet wird. Ferner wird ein Gate-Bereich auf oder über mindestens einem Teil des zweiten Träger-Bereichs gebildet und es werden ein erster Source/Drain-Bereich und ein zweiter Source/Drain-Bereich gebildet.