双面绝缘层上半导体结构及其制造方法

摘要

绝缘层上半导体基板的两面皆可利用来产生金氧半导体场效电晶体结构。在第一半导体层上形成第一类型元件后，连结操作晶圆至第一中段介电层的顶部。随后移除承载基板的下方部分以暴露第二半导体层，且在其上形成第二类型元件。导电介层系贯穿埋式绝缘层而形成，以电性连接第一类型元件及第二类型元件。由于埋式绝缘层的各端仅具有一种类型的元件，可减少阻隔遮罩的使用。结构中出现了双层的元件，且不同类型元件间的边界区将被减少或消除，因此增加元件的堆积密度。不论是前面朝上或背面朝上，可使用相同对准记号来对准晶圆。