发明名称 |
微电子专用螯合剂的使用方法 |
摘要 |
本发明一种微电子专用螯合剂的使用方法,旨在提供一种能够有效去除金属离子,满足对基材表面金属离子的要求的微电子专用螯合剂的使用方法。在常用抛光液中按体积百分比加入0.1-3%的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐,如果抛光液为碱性,则进行抛光;如果抛光液为酸性,则在上述抛光液中加入1-5%的双氧水,之后进行抛光;将上述抛光片放入清洗槽中,在清洗剂中按体积百分比加入0.1-3%的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐,以及按体积百分比加入1-5%的双氧水,之后进行清洗。通过本发明的方法可以将存在于晶片表面的金属原子氧化成金属离子,与螯合剂充分螯合,从而达到去除的目的。 |
申请公布号 |
CN100423202C |
申请公布日期 |
2008.10.01 |
申请号 |
CN200610014908.3 |
申请日期 |
2006.07.25 |
申请人 |
河北工业大学 |
发明人 |
刘玉岭;李广福;张西慧 |
分类号 |
H01L21/302(2006.01);H01L21/304(2006.01);H01L21/306(2006.01);C07D487/22(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/302(2006.01) |
代理机构 |
天津市三利专利商标代理有限公司 |
代理人 |
肖莉丽 |
主权项 |
1. 一种微电子专用螯合剂的使用方法,其特征在于,包括下述步骤:(1)将磨片放入抛光机中,在常用抛光液中按体积百分比加入0.1-3%的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐,如果抛光液为碱性,则按照常规的抛光方法进行抛光;如果抛光液为酸性,则在上述含有螯合剂的抛光液中按体积百分比加入1-5%的双氧水或与双氧水氧化作用相等的氧化剂,之后按照常规的抛光方法进行抛光,得到洁净的抛光片;(2)将上述抛光片放入清洗槽中,在清洗剂中按体积百分比加入0.1-3%的微电子专用螯合剂二乙二胺四乙酸四羟基乙基乙二胺盐,以及按体积百分比加入1-5%的双氧水或与双氧水氧化作用相等的氧化剂,之后按照常规的清洗方法进行清洗,得到洁净的晶片;所述与双氧水氧化作用相等的氧化剂为F2或Cl2或Br2或O2或O3或过氧化氢。 |
地址 |
300130天津市红桥区光荣道8号 |