| 发明名称 | 一种HfO<SUB>2</SUB>高介电常数薄膜电容器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种同时具有低表面粗糙度、高介电常数、低漏电流和高界面质量的HfO<SUB>2</SUB>栅介质薄膜及其MOS电容器件制备方法。它以硅片为基片，其特征在于用脉冲激光沉积技术在其上沉积一层HfO<SUB>2</SUB>薄膜，再磁控溅射设备制备低电极和上图形电极。本发明采用成本相对较低的脉冲激光沉积设备和后氮气处理的方法获得了具有低表面粗糙度、高介电常数、低漏电流和高界面质量的HfO<SUB>2</SUB>栅介质薄膜及其MOS电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN101271927A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200810047510.9 | 申请日期 | 2008.04.29 |
| 申请人 | 湖北大学 | 发明人 | 王浩;王毅;汪宝元;叶葱;冯洁;朱建华 |
| 分类号 | H01L29/94(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01G4/33(2006.01) | 主分类号 | H01L29/94(2006.01) |
| 代理机构 | 武汉金堂专利事务所 | 代理人 | 丁齐旭 |
| 主权项 | 1、一种HfO2高介电常数薄膜电容器，它以硅片为基片，其特征在于用脉冲激光沉积技术在其上沉积一层HfO2薄膜，再用磁控溅射设备制备低电极和上图形电极。 | ||
| 地址 | 430062湖北省武汉市武昌区学院路11号 | ||