| 发明名称 | 静电放电保护装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种静电放电保护装置及其制造方法。此静电放电保护装置包括衬底、N型阱、P型掺杂区、第一与第二N+型掺杂区、第一与第二P+型掺杂区、栅极、第一与第二电极。N型阱配置于衬底中。P型掺杂区配置于N型阱中。第一N+型掺杂区与第一P+型掺杂区均配置于P型掺杂区中。第二N+型掺杂区与第二P+型掺杂区均配置于N型阱中以及P型掺杂区外，且与P型掺杂区不相接触。栅极配置于N型阱上以及于第二P+型掺杂区与P型掺杂区之间。第一电极电连接第一N+型掺杂区与第一P+型掺杂区。第二电极电连接第二N+型掺杂区、第二P+型掺杂区与栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101271891A | 申请公布日期 | 2008.09.24 |
| 申请号 | CN200710091831.4 | 申请日期 | 2007.03.23 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 赖泰翔;张玮仁;柯明道;唐天浩 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 蒲迈文;黄小临 |
| 主权项 | 1. 一种静电放电保护装置，包括：一衬底；一N型阱，配置于该衬底中；一P型掺杂区，配置于该N型阱中；一第一N+型掺杂区，配置于该P型掺杂区中；一第一P+型掺杂区，配置于该P型掺杂区中；一第二P+型掺杂区，配置于该N型阱中以及该P型掺杂区外，其中该第二P+型掺杂区与该P型掺杂区不相接触；一栅极，其配置于该N型阱上以及于该第二P+型掺杂区与该P型掺杂区之间；一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区；以及一第二电极，其经由一第二电性导体连接该第二P+型掺杂区与该栅极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||