发明名称 画素结构及其制造方法
摘要 本发明公开了一种画素结构,其特点是,包括一薄膜晶体管、一画素电极及一扫描线。薄膜晶体管具有一栅极、一源极及一漏极,画素电极与漏极耦接。扫描线包括第一扫描金属层、第一扫描绝缘层、第二扫描金属层及第三扫描金属层。第一扫描金属层连接栅极,第一扫描绝缘层设置于第一扫描金属层上,第二扫描金属层设置于第一扫描绝缘层上。第二扫描绝缘层设置于第二扫描金属层上,第三扫描金属层连接第一扫描金属层及第二扫描金属层。可以提高整体画素结构的开口率。
申请公布号 CN101266372A 申请公布日期 2008.09.17
申请号 CN200710087675.4 申请日期 2007.03.13
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 陈建宏
分类号 G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 G02F1/1362(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 左一平
主权项 1. 一种画素结构,其特征在于,包括:一薄膜晶体管,具有一栅极、一源极及一漏极;一画素电极,与所述漏极耦接;以及一扫描线,包括:一第一扫描金属层,连接所述栅极;一第一扫描绝缘层,设置于所述第一扫描金属层上;一第二扫描金属层,设置于所述第一扫描绝缘层上;一第二扫描绝缘层,设置于所述第二扫描金属层上;及一第三扫描金属层,连接所述第一扫描金属层及所述第二扫描金属层。
地址 台湾省台南县台南科学工业园区奇业路1号