| 发明名称 | 半导体封装用覆层玻璃 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是提供作为澄清剂不含有As<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>，而且限制了Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>的含量，同时气泡少的半导体封装用覆层玻璃。本发明的玻璃的特征是，以质量％计，含有SiO<SUB>2</SUB> 58～72％、Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 0.5～15％、B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>8～18％、碱金属氧化物7.5～20％、碱土类金属氧化物0～20％、ZnO0～10％、Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+Sb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB> 0～0.2％、F<SUB>2</SUB>+Cl<SUB>2</SUB>+C+SO<SUB>3</SUB>+SnO<SUB>2</SUB> 0.01～3％，实际上不含As<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>。 | ||
| 申请公布号 | CN100418911C | 申请公布日期 | 2008.09.17 |
| 申请号 | CN200410092909.0 | 申请日期 | 2004.11.11 |
| 申请人 | 日本电气硝子株式会社 | 发明人 | 桥本幸市;二上勉 |
| 分类号 | C03C3/093(2006.01);C03C3/11(2006.01);H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | C03C3/093(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1. 半导体封装用覆层玻璃，其特征在于以质量％计，含有SiO258～72％、Al2O30.5～15％、B2O38～18％、碱金属氧化物7.5～20％、碱土类金属氧化物0～20％、ZnO 0～10％、Sb2O3+Sb2O50～0.2％、F2+Cl2+C+SO3+SnO2+CeO20.01～3％，实际上不含As2O3。 | ||
| 地址 | 日本滋贺县 | ||