| 摘要 |
本发明提供了一种相变化记忆装置，包括：一第一电极；一第二电极；以及一相变化材料层，设置于该第一与第二电极之间。上述相变化材料层包括：一第一部，连结于该第一电极，具有一第一宽度；一第二部，连结于该第二电极，具有一第二宽度；一第三部，连结该第一部与该第二部，具有一第三宽度；以及一第四部，分别连结该第三部之一侧边，该第四部具有一鳍状外形以及一第四宽度，其中该第三宽度为一固定宽度，而该第一宽度与该第二宽度为非固定宽度，该第一宽度与该第二宽度分别自该第一电极与该第二电极往该相变化材料层之该第三部处渐减。 |
