发明名称 | 邻接之受温度控制的处理室之热绝缘方法与设备 | ||
摘要 | 一种双处理室设备,具有一第一处理室与一第二处理室,而该第二处理室于一界面连接至该第一处理室。该第一处理室与该第二处理室的每一个系具有位在该界面的一传送开口。使一绝缘板位在该界面之该第一处理室与该第二处理室之其中一个之上且具有一低热传导性,俾当该第一处理室与该第二处理室互相连接时,可将该第一处理室与该第二处理室独立控制成不同之温度。此外,此种双处理室设备系具有对准装置及/或固定装置,用以将该第一处理室固定于该第二处理室。在各实施例中,绝缘板系由铁氟龙所构成。又,该第一处理室为一化学氧化去除处理室且该第二处理室为一热处理室。 | ||
申请公布号 | TW200423211 | 申请公布日期 | 2004.11.01 |
申请号 | TW093107044 | 申请日期 | 2004.03.17 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 杰 瓦勒斯;汤玛士 哈姆林 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |