光半导体封装用树脂组成物

主权项

1.一种光半导体封装用树脂组成物，其系含有下述(A)及(B)成分者：(A)：含环氧基之(甲基)丙烯酸系聚合物，(B)：脂环式羧酸酐。2.如申请专利范围第1项之树脂组成物，其中，(A)成分系选自丙烯酸烷酯、甲基丙烯酸烷酯、丙烯氰及甲基丙烯氰所成组群中至少1种之单体与下述一般式(A-1)所示单体聚合而得之含环氧基之(甲基)丙烯酸系聚合物者：R-X-CH2-E　 (A-1)(式中，R表示碳原子数为2至12之脂烯基，X表示羰氧基或亚甲氧基，E表示选自下述之环氧基)。3.如申请专利范围第1或2项之树脂组成物，其中，(A)成分之环氧基当量系128g/当量以上，且该组成物之硬化物具有130℃以上之玻璃转移温度者。4.如申请专利范围第1或2项之树脂组成物，其中，(B)成分系六氢化苯二甲酸酐或甲基六氢化苯二甲酸酐。5.如申请专利范围第1或2项之树脂组成物，其中，以光半导体封装用树脂组成物含有氧化防止剂。6.如申请专利范围第5项之树脂组成物，其中，氧化防止剂系含有酚系氧化防止剂(C)及/或硫系氧化防止剂(D)。7.如申请专利范围第6项之树脂组成物，其中，(C)成分系下述一般式(C-1)所示之酚系氧化防止剂：(式中，n表示1至22之整数)。8.如申请专利范围第6项之树脂组成物，其中，(D)成分系下述一般式(D-1)所示之硫系氧化防止剂：(式中，m表示10至22之整数)。9.一种光半导体封装硬化物，系由如申请专利范围第1至8项中任一项之光半导体用树脂组合物硬化而成者。10.如申请专利范围第9项之光半导体封装硬化物，系调整此硬化物厚度为2mm、于波长370nm中之厚度方向之初期透过率在70%以上；调整为2mm之该硬化物在40℃、50% RH之条件下，用340nm波长、光量0.55 W/m2之光进行300小时照射试验后，该硬化物厚度方向之透过率在40%以上；该硬化物之玻璃转移温度在130℃以上者。11.一种光二极管，系将选自发光二极管元件及光二极管元件所成组群之光半导体，以如申请专利范围第9或10项之硬化物加以封装者。