| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，尤其是表面改性处理方法，该半导体装置具有多用于使用焊锡凸块或金凸块的倒装片连接的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物，其中，所述半导体装置的制造方法用于改善在高温高湿下长期保持后的粘接性，并提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有形成在半导体元件上的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物层，所述半导体装置的制造方法的特征在于，使用含有氮、氨、肼中的至少一种的含氮原子气体，对层叠环氧系树脂化合物层的耐热性树脂膜的表面进行等离子处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101248520A | 申请公布日期 | 2008.08.20 |
| 申请号 | CN200680030657.6 | 申请日期 | 2006.08.22 |
| 申请人 | 日立化成杜邦微系统股份有限公司 | 发明人 | 小岛康则;板桥俊明 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01);H01L21/312(2006.01) | 主分类号 | H01L21/56(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有形成在半导体元件上的耐热性树脂膜和层叠在其上的环氧系树脂化合物层，所述半导体装置的制造方法的特征在于，使用含有氮、氨、肼中的至少一种的含氮原子气体，对用于层叠环氧系树脂化合物层的耐热性树脂膜表面进行等离子处理。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||