发明名称 |
带有偏置-补偿读出系统的半导体存储器件 |
摘要 |
本发明提供一种包含偏置-补偿放大器电路的半导体存储器件。该偏置-补偿放大器电路使一触发读出放大器能执行稳定的读出操作,与其自身的偏置电压无关。一部分偏置-补偿放大器电路被设置在一第一区中(例如,包含该触发读出放大器的区域),且另一部分被设置在一第二区中(例如,该触发读出放大器的驱动器所在的区域),由于这种分布式配置结构,一偏置-补偿放大器电路可被包含在半导体存储器件中。 |
申请公布号 |
CN100412987C |
申请公布日期 |
2008.08.20 |
申请号 |
CN03145071.7 |
申请日期 |
2003.07.02 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
沈载润 |
分类号 |
G11C11/4063(2006.01);G11C11/413(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/4063(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1. 一种半导体存储器件,包括:一第一位线和一第二位线,其位于一第一区中并与多个存储单元连接;一偏置-补偿放大器电路,其被构造为用于探测一基于参考电压的该第一位线的电压变化并按照探测结果来驱动该第二位线;一读出放大器电路,其位于第二区中并被构造为用于读出和放大该第一位线和该第二位线间的电压差;其中在探测出该第一位线的电压变化前,在一第一控制信号的作用下,该偏置-补偿放大器电路被构造为按照该参考电压补偿一偏置电压;且其中一部分该偏置-补偿放大器电路被设置在该第一区,剩余部分的该偏置-补偿放大器电路被设置在一不同于该第一区和该第二区的第三区。 |
地址 |
韩国京畿道 |