提供用于非挥发性记忆体之区域升压控制之植入

摘要

一种非挥发性储存系统之一基板包括额外离子在制造过程期间被深植入之选定区域。NAND串形成于该等选定区域上，使得该等NAND串之末端字线位于该等深植入离子上。在该等末端字线下方存在该等深植入离子会增加该等末端字线下方的该基板之一通道电容。归因于该增加的电容，该等末端字线下方的该基板中之一通道之升压被减少，藉此减少了闸极诱发汲极泄漏(GIDL)及带对带穿隧(BTBT)之发生，且因此减少了程式化干扰。亦可进行一浅离子植入以设定该NAND串之储存元件之一临限电压。