一种氮化物系半导体多层磊晶结构

摘要

一种氮化物系半导体多层磊晶结构，其包含一基板；一缓冲层系位于该基板之上；一N型掺杂之半导体叠层系位于该缓冲层之上；一本质未掺杂半导体叠层系位于该N型掺杂之半导体叠层之上；一P型掺杂之半导体叠层系位于该本质未掺杂半导体叠层之上；至少两个金属电极，分别在于P型掺杂之半导体叠层及N型掺杂之半导体叠层之上以形成欧姆电性接触。其特征在于成长本质未掺杂半导体叠层时，降低成长温度，成长一至多层低温成长活化层。低温成长活化层具有较好的捕捉光子效率，可以提高光电二极体或光侦测器的灵敏度。