| 发明名称 | 半导体器件以及用于控制其图案的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件以及控制其图案的方法，其中可根据图案的临界尺寸(CD)，单独地控制由双图案化工艺形成的图案的电特性。该方法包括控制具有不同CD的两个或更多图案，从而最优地操作该图案。基于图案的CD，由提供给图案的信号单独地控制该图案。通过控制提供给各个图案的信号的大小和应用时间，控制该信号。 | ||
| 申请公布号 | CN101241303A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810088172.3 | 申请日期 | 2008.01.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴俊洙;吕起成;郭判硕;赵汉九;李芝英 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | G03F1/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种控制半导体器件的图案的方法，该方法包括：在第一次曝光中形成第一图案以及在第二次曝光中形成第二图案；测量该第一图案和该第二图案中每个的临界尺寸；根据该第一图案的临界尺寸控制对该第一图案的操作；以及根据该第二图案的临界尺寸控制对该第二图案的操作，其中该第一图案的临界尺寸与该第二图案的临界尺寸不同。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||