| 发明名称 | 包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种包括掺杂的硅碳衬里层的半导体结构及其制造方法。一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括衬里层，所述衬里层被插入到这样的区域之间：(1)半导体衬底内的台座形沟道区域；和(2)半导体材料层内的源极和漏极区域，所述半导体材料层位于所述衬里层上并进一步被所述台座形沟道区域横向分离。所述衬里层包括活性的掺杂的硅碳材料。所述半导体材料层包括不同于硅碳半导体材料的半导体材料。可选地，所述半导体材料层包括这样的硅碳半导体材料，所述硅碳半导体材料具有与所述衬里层相反的掺杂剂极性和比所述衬里层低的碳含量。由于存在所述硅碳材料，所以所述衬里层抑制了掺杂剂从所述衬里层扩散到所述台座形沟道区域中。因此提高了使用所述台座形沟道区域的场效应器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101241936A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810005703.8 | 申请日期 | 2008.02.03 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 骆志炯;刘耀诚 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/08(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/167(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1. 一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有位于所述半导体衬底内的台座形沟道区域之上的栅极电极；衬里层，包括位于所述台座形沟道区域的侧壁上的具有第一掺杂剂极性和第一碳含量的活性的掺杂的硅碳材料；以及源极区域和漏极区域，至少部分地位于这样的半导体材料层内，所述半导体材料层位于所述衬里层上并进一步被所述台座形沟道区域横向分离。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||