发明名称 MEMORY WITH TUNABLE SLEEP DIODES
摘要 A system and are described as to adjusting voltages in a memory device, while the device is in sleep mode, to prevent or minimize voltage or current leakage of the device.
申请公布号 US2008186794(A1) 申请公布日期 2008.08.07
申请号 US20070965639 申请日期 2007.12.27
申请人 TEXAS INSTRUMENTS 发明人 CLINTON MICHAEL PATRICK
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
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