| 发明名称 | 制备高纯度N－乙烯基酰胺的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备高纯度N－乙烯基酰胺的方法，其包括：(A)将粗N－乙烯基酰胺溶解于具有1－3个碳原子的醇中的步骤，该粗N－乙烯基酰胺含有50－97质量％的N－乙烯基酰胺；(B)向步骤(A)中获得的组合物中加入具有5－10个碳原子的脂族烃以析出该N－乙烯基酰胺晶体的步骤；和(C)分离步骤(B)中析出的N－乙烯基酰胺晶体的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101238093A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200680028864.8 | 申请日期 | 2006.08.04 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 内田博;石井彻弥 |
| 分类号 | C07C231/24(2006.01);C07C233/05(2006.01) | 主分类号 | C07C231/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.一种制备高纯度-N乙烯基酰胺的方法，其包括：(A)将粗N-乙烯基酰胺溶解于具有1-3个碳原子的醇中的步骤，该粗N-乙烯基酰胺含有50-97质量％的N-乙烯基酰胺；(B)向步骤(A)中获得的组合物中加入具有5-10个碳原子的脂族烃以析出该N-乙烯基酰胺晶体的步骤；和(C)分离步骤(B)中析出的N-乙烯基酰胺晶体的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||