| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种不增加照相制版步骤而使多晶硅层和布线层稳定并以低电阻连接的薄膜晶体管。本发明的一个实施方式的薄膜晶体管具有：多晶硅层(3)，形成在衬底(1)上，具有沟道区域、源极区域、漏极区域；导电层(4)，形成在多晶硅层(3)的上层，覆盖源极区域以及漏极区域的至少一部分；层间绝缘膜(7)，形成在覆盖至少包括多晶硅层(3)区域的区域；接触孔(8)，贯通层间绝缘膜(7)，以导电层(4)露出的深度形成；沿接触孔(8)的壁面所形成的布线层(9)。 | ||
| 申请公布号 | CN101236992A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200710306279.6 | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 山吉一司 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01);H01L29/43(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，具有：多晶硅层，形成在衬底上，具有沟道区域、源极区域、漏极区域；导电层，形成在所述多晶硅层的上层，覆盖所述源极区域以及所述漏极区域的至少一部分；层间绝缘膜，在覆盖至少包括所述多晶硅层的区域的区域中形成；接触孔，贯通所述层间绝缘膜，以所述导电层露出的深度形成；沿着所述接触孔的壁面形成的布线层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||