发明名称 | 磁性记忆胞的直接写入方法与磁性记忆胞结构 | ||
摘要 | 一种磁性记忆胞的直接写入方法。该磁性记忆胞包括一磁性自由叠层,有一下铁磁层以及一上铁磁层。下铁磁层与上铁磁层都有实质上相同方向的双方向易轴。本方法包括施加一第一磁场在该双方向易轴的方向上,以及进行写入操作。当要写入第一储存状态时,施加第二磁场取代第一磁场。第二磁场的方向在双方向易轴的第一边,且夹有第一角度。当写入操作要写入第二储存状态时施加第三磁场取代该第一磁场。第三磁场的方向在双方向易轴的第二边,且夹有第二角度。又,例如该下铁磁层以及一上铁磁层的至少其一具有一单方向易轴,与双方向易轴有一夹角。 | ||
申请公布号 | TW200832401 | 申请公布日期 | 2008.08.01 |
申请号 | TW096103233 | 申请日期 | 2007.01.29 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 李元仁;洪建中 |
分类号 | G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |