发明名称 |
使用阴影心轴和偏轴曝光印制亚光刻图像 |
摘要 |
本发明克服了现有技术的局限,能形成逻辑电路中使用的较小部件。本发明提供了一种在通过使用称做阴影心轴层的材料层产生阴影,在半导体衬底上限定和形成结构的新方法。在阴影心轴层中腐蚀出沟槽。沟槽的至少一侧用于在沟槽的底部投射阴影心轴层。保形淀积的光致抗蚀剂用于捕获阴影的图像。阴影的图像用于限定和形成结构。这能够在晶片的表面上形成图像,不会产生常规光刻中遇到的衍射效应。这样能够减小器件的尺寸并增加芯片的工作速度。 |
申请公布号 |
CN100407052C |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN99121520.6 |
申请日期 |
1999.10.14 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
古川俊治;M·C·哈利;S·J·霍尔梅斯;D·V·霍拉克;P·A·拉比多西 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
邹光新;王忠忠 |
主权项 |
1.一种在衬底上限定结构的方法,包括以下步骤:a.在衬底上淀积阴影心轴层;b.在阴影心轴层中腐蚀出沟槽,沟槽具有侧壁和底部;c.在阴影心轴层和沟槽上淀积光致抗蚀剂层;d.以一定角度曝光光致抗蚀剂层,使得沟槽底部第一部分的光致抗蚀剂被曝光,和沟槽底部第二部分的光致抗蚀剂由沟槽侧壁阻挡并且不被曝光;e.显影光致抗蚀剂层;以及f.使用显影的光致抗蚀剂层限定结构。 |
地址 |
美国纽约州 |