发明名称 使用阴影心轴和偏轴曝光印制亚光刻图像
摘要 本发明克服了现有技术的局限,能形成逻辑电路中使用的较小部件。本发明提供了一种在通过使用称做阴影心轴层的材料层产生阴影,在半导体衬底上限定和形成结构的新方法。在阴影心轴层中腐蚀出沟槽。沟槽的至少一侧用于在沟槽的底部投射阴影心轴层。保形淀积的光致抗蚀剂用于捕获阴影的图像。阴影的图像用于限定和形成结构。这能够在晶片的表面上形成图像,不会产生常规光刻中遇到的衍射效应。这样能够减小器件的尺寸并增加芯片的工作速度。
申请公布号 CN100407052C 申请公布日期 2008.07.30
申请号 CN99121520.6 申请日期 1999.10.14
申请人 国际商业机器公司 发明人 古川俊治;M·C·哈利;S·J·霍尔梅斯;D·V·霍拉克;P·A·拉比多西
分类号 G03F7/00(2006.01);H01L21/30(2006.01);H01L21/82(2006.01) 主分类号 G03F7/00(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 邹光新;王忠忠
主权项 1.一种在衬底上限定结构的方法,包括以下步骤:a.在衬底上淀积阴影心轴层;b.在阴影心轴层中腐蚀出沟槽,沟槽具有侧壁和底部;c.在阴影心轴层和沟槽上淀积光致抗蚀剂层;d.以一定角度曝光光致抗蚀剂层,使得沟槽底部第一部分的光致抗蚀剂被曝光,和沟槽底部第二部分的光致抗蚀剂由沟槽侧壁阻挡并且不被曝光;e.显影光致抗蚀剂层;以及f.使用显影的光致抗蚀剂层限定结构。
地址 美国纽约州