| 发明名称 | 半导体激光器装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体激光器装置，其包括：在第一基板上具有射出第一波长光的第一半导体层的第一半导体激光元件；和在第二基板上具有射出第二波长光的第二半导体层的第二半导体激光元件，所述第一和第二波长各自不同，所述第一和第二基板材料各自不同，以在与第一基板的一面垂直的方向上与所述第一半导体激光元件的发光点不重叠的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上，第一发光点的上部露出。 | ||
| 申请公布号 | CN101232152A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200810008937.8 | 申请日期 | 2005.03.11 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 别所靖之;畑雅幸;井上大二朗;山口勤 |
| 分类号 | H01S5/40(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/22(2006.01) | 主分类号 | H01S5/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘春成 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光器装置，其特征在于，包括：在第一基板上具有射出第一波长光的第一半导体层的第一半导体激光元件；和在第二基板上具有射出第二波长光的第二半导体层的第二半导体激光元件，所述第一和第二波长各自不同，所述第一和第二基板材料各自不同，以在与第一基板的一面垂直的方向上与所述第一半导体激光元件的发光点不重叠的方式，把所述第二半导体激光元件层叠在所述第一半导体激光元件上，第一发光点的上部露出。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||