| 发明名称 | 超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法，包括：(1)以频率为12－14MHZ的射频等离子体发生器产生等离子体辉光，并且调节等离子体功率在40W－180W之间变动；(2)以四异丙基钛酸脂为单体沉积，并由氧气载入；(3)电极下方的基片上得到超亲水性二氧化钛薄膜，在远离电极的基片上得到超疏水性二氧化钛薄膜；(4)超疏水性二氧化钛薄膜在常压500℃下退火1～2小时后，得超亲水性二氧化钛薄膜。该方法制备二氧化钛薄膜具有一步沉积同时得到超疏水和超亲水性薄膜的简便优点，过程容易控制，为工业化应用提供了可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN101225510A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200810032587.9 | 申请日期 | 2008.01.11 |
| 申请人 | 东华大学 | 发明人 | 刘伟;李岩;何涛;过凯;王德信;郭颖;杨平;张菁 |
| 分类号 | C23C16/40(2006.01);C23C16/513(2006.01);C23C16/52(2006.01);C23C16/56(2006.01) | 主分类号 | C23C16/40(2006.01) |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人 | 黄志达;谢文凯 |
| 主权项 | 1.超疏水性和超亲水性二氧化钛薄膜的等离子体制备方法，包括步骤：(1)以频率为12-14MHZ的射频等离子体发生器产生等离子体辉光，并且调节等离子体功率在40W-180W之间变动；(2)以四异丙基钛酸脂为单体沉积，并由氧气载入；(3)电极下方的基片上得到超亲水性二氧化钛薄膜，在远离电极的基片上得到超疏水性二氧化钛薄膜；(4)超疏水性二氧化钛薄膜在常压500℃下退火1～2小时后，得超亲水性二氧化钛薄膜。 | ||
| 地址 | 201620上海市松江区松江新城区人民北路2999号 | ||