| 发明名称 | 半导体图像传感器模块及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS型半导体图像传感器模块及其制造方法，提高像素开口率并且谋求提高芯片的使用效率，而且能使全像素同时遮光。本发明的半导体图像传感器模块层合有：第一半导体芯片，其具备把由光电转换元件和晶体管构成的多个像素配列的图像传感器、第二半导体芯片，其具备A/D转换器阵列。最好还层合具备存储器元件阵列的第三半导体芯片。本发明的半导体图像传感器模块层合具备上述图像传感器的第一半导体芯片和具备模拟型非易失性存储器阵列的第四半导体芯片。 | ||
| 申请公布号 | CN101228631A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200680026625.9 | 申请日期 | 2006.06.01 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 岩渊信;元吉真 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 马高平 |
| 主权项 | 1.一种半导体图像传感器模块，其特征在于，层合有第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片，其具备把多个像素规则配列且所述各像素由光电转换元件和晶体管构成的图像传感器；所述第二半导体芯片，其具备由多个模/数转换器构成的模/数转换器阵列。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||