发明名称 |
使用电极气密密封的高可靠性半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及一种具有高可靠性的半导体装置,该装置不使用密封材料,而通过框架结构密封形成于基板上的电极以防止电极的劣化。本发明的框架结构密封形成于基板上的电极。框架结构内部为真空或者填充不与电极发生反应的气体,由此防止因氧气或水分而引起电极的劣化。 |
申请公布号 |
CN100401504C |
申请公布日期 |
2008.07.09 |
申请号 |
CN200510097621.7 |
申请日期 |
2005.08.30 |
申请人 |
夏普株式会社;须贺唯知;冲电气工业株式会社;三洋电机株式会社;索尼株式会社;株式会社东芝;日本电气株式会社;富士通株式会社;松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
须贺唯知;伊藤寿浩 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
浦柏明;叶恺东 |
主权项 |
1.一种半导体装置,其特征在于,包含:形成有一个或多个电极的第1基板、形成有一个或多个电极的第2基板、以及框架结构,形成于第1基板上的一个或多个电极的每个与形成于第2基板上的对应的一个或多个电极的每个,通过不使用突起地直接接触而电连接,框架结构包围形成于第1和第2基板上的电极,由此气密密封这些电极,第1基板和第2基板经由框架结构而接合。 |
地址 |
日本大阪市 |