Power semiconductor module

摘要

Es wird ein Leistungshalbleitermodul (10) mit einem Substrat (12), einer Verbundfolie (14) und mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement (16) beschrieben, das zwischen dem Substrat (12) und der Verbundfolie (14) vorgesehen ist. Die Verbundfolie (14) weist eine dünne schaltstrukturierte Logikmetallschicht (26) und eine im Vergleich hierzu dicke schaltstrukturierte Leistungsmetallschicht (28) sowie zwischen diesen eine dünne elektrisch isolierende Kunststofffolie (24) auf. Die Verbundfolie (14) ist mit Kontaktnoppen (30) ausgebildet, die zur Kontaktierung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement (16) dienen. Zwischen der Logikmetallschicht (26) und der Leistungsmetallschicht (28) sind Durchkontaktierungen (32) vorgesehen. Die Kunststofffolie (24) ist im Bereich der jeweiligen Durchkontaktierung (32) an einem von der Logikmetallschicht (26) freien Bereich (36) mit einer Aussparung (34) ausgebildet. Ein Stück (38) eines flexiblen Dünndrahtes (40) erstreckt sich durch den freien Bereich (36) der Logikmetallschicht und durch die Aussparung (34) in der Kunststofffolie (24) hindurch und ist mit der Logikmetallschicht (26) und mit der Leistungsmetallschicht (28) durch Bondstellen (44, 48) kontaktiert.