低介电率非晶质二氧化矽系被膜之形成方法及藉由该方法所得之低介电率非晶质二氧化矽系被膜

摘要

本发明系提供一种在基板上安定地形成电容率(Dielectric Constant)小至3.0以下、且具有杨氏弹性模数3.0GPa以上被膜强度之低介电率非晶质二氧化矽系被膜之方法;该方法之特征为其系包含以下各步骤:(a)将液状组成物涂布于基板上之步骤,且该液状组成物系含有在四烷基氢氧化铵(TAAOH)之存在下水解所得之有机矽化合物之水解物,(b)将该基板收纳于装置内,并将该基板上形成之被膜以25~340℃之温度条件下进行乾燥之步骤,(c)将过热水蒸气导入该装置内,并将该被膜以105~450℃之温度条件下加热而进行加热处理之步骤,以及(d)将氮气导入该装置内,并将该被膜以350~450℃之温度条件下进行烧成之步骤。