PHOTODIODE VERROUILLEE A GRANDE CAPACITE DE STOCKAGE, PAR EXEMPLE POUR UN CAPTEUR D'IMAGE, PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE, ET CAPTEUR D'IMAGE COMPRENANT UNE TELLE DIODE.

摘要

L'invention concerne une photodiode formée d'une région d'un premier type (210) à l'intérieur d'une région d'un deuxième type (220) d'un substrat semi-conducteur. La région du premier type comprend une première zone (212) comprenant un dopant du premier type à une première concentration (C1) et ayant une première profondeur (P1). Selon l'invention, la région du premier type (210) comprend également une deuxième zone (214) adjacente à la première zone (212), comprenant le dopant du premier type à une deuxième concentration (C2) supérieure à la première concentration (C1) et ayant une deuxième profondeur (P2) inférieure à la première profondeur (P1).L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une telle diode.Application à la réalisation de capteurs d'image.