多栅极结构的薄膜晶体管及其制作方法

摘要

一种多栅极结构的薄膜晶体管及其制作方法，利用栅极绝缘层的暴露于栅极层两侧的遮蔽区域作为离子布植制程的罩幕，可同时达成轻掺杂漏极(LDD)区域以及源/漏极区域的制作。于每一个栅极层的周围两侧均制作LDD区域，可使多晶硅薄膜晶体管具有极低的漏电流，且可免去黄光对准的问题，并达到LDD区域的长度对称性。

主权项

1.一种多栅极结构的薄膜晶体管，其特征在于所述薄膜晶体管包括有：一基底；一有效层，是形成于该基底上，且包含有：一第一轻掺杂区域；一第二轻掺杂区域以及一第三轻掺杂区域，是分别形成于该第一轻掺杂区域的两侧；一第一沟道区域以及一第二沟道区域，是分别形成于该第二轻掺杂区域以及该第三轻掺杂区域的外侧；一第四轻掺杂区域以及一第五轻掺杂区域，是分别形成于该第一沟道区域以及该第二沟道区域的外侧，且该第四和第五轻掺杂区域的浓度大于第二及第三轻掺杂区域的浓度；以及一第一重掺杂区域以及一第二重掺杂区域，是分别形成于该第四轻掺杂区域以及该第五轻掺杂区域的外侧；一第一栅极绝缘层，是形成于该有效层上，且包含有：一中央区域，是覆盖该有效层的第一沟道区域；一第一遮蔽区域，是覆盖该有效层的第四轻掺杂区域；以及一第二遮蔽区域，是覆盖该有效层的第二轻掺杂区域；一第二栅极绝缘层，是形成于该有效层上，且包含有：一中央区域，是覆盖该有效层的第二沟道区域；一第一遮蔽区域，是覆盖该有效层的第三轻掺杂区域；以及一第二遮蔽区域，是覆盖该有效层的第五轻掺杂区域；一第一栅极层，是形成于该第一栅极绝缘层上，且覆盖该第一栅极绝缘层的中央区域；以及一第二栅极层，是形成于该第二栅极绝缘层上，且覆盖该第二栅极绝缘层的中央区域；该第二轻掺杂区域的边缘对齐于该第一栅极绝缘层的第二遮蔽区域的边缘，该第三轻掺杂区域的边缘对齐于该第二栅极绝缘层的第一遮蔽区域的边缘，该第四轻掺杂区域的边缘对齐于该第一栅极绝缘层的第一遮蔽区域的边缘，该第五轻掺杂区域的边缘对齐于该第二栅极绝缘层的第二遮蔽区域的边缘；其中，该第二轻掺杂区域以及该第三轻掺杂区域具有相同的掺杂浓度与长度，该第四轻掺杂区域以及该第五轻掺杂区域具有相同的掺杂浓度与长度；其中，该第一轻掺杂区域、该第四轻掺杂区域、该第五轻掺杂区域的掺杂浓度为1×1012～1×1014atom/cm2；该第二轻掺杂区域、该第三轻掺杂区域的掺杂浓度为小于1×1013atom/cm3；以及该第一重掺杂区域、该第二重轻掺杂区域的掺杂浓度为1×1014～1×1016atom/cm2。