| 主权项 |
1.一种半导体装置制造方法,其包含以下步骤: (a)在一除了一半导体基板之复数个作用区及虚设 区外之区域中形成一隔离区; (b)在该等作用区及该等虚设区上形成薄绝缘膜; (c)在该等作用区中之该等薄绝缘膜上形成一闸电 极; (d)藉由将该等闸电极用作一遮罩而在该等作用区 中植入杂质离子以形成浅源极/汲极区; (e)在该半导体基板上沈积一间隔物绝缘膜,该间隔 物绝缘膜覆盖该等闸电极; (f)各向异性地蚀刻该间隔物绝缘膜,将该半导体基 板之表面曝光于该等作用区及该等虚设区中时的 一时间侦测为一蚀刻终点,并在该等闸电极之每一 者之侧墙上留下侧墙间隔物;及 (g)藉由将该等闸电极及该等侧墙间隔物用作一遮 罩,而将杂质离子植入该等作用区中,以在该等作 用区中形成低电阻率及深源极/汲极区。 2.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该步骤(f) 藉由监视一蚀刻副产物之一发射光谱强度中的一 变化来侦测一蚀刻终点。 3.如请求项1之半导体装置制造方法,其中在侦测到 该蚀刻终点后该步骤(f)执行过蚀刻。 4.如请求项1之半导体装置制造方法,其中: 该步骤(b)在复数个作用区中形成具有复数个厚度 之薄绝缘膜并在该等虚设区中形成一具有一与一 最薄之薄绝缘膜相等之厚度的虚设绝缘膜;且 该步骤(f)将藉由蚀刻该最薄之薄绝缘膜及该虚设 绝缘膜而曝光该半导体基板之表面时的一时间侦 测为该蚀刻终点。 5.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该等虚设 区包括一除了该半导体基板之晶片形成区域外之 区域。 6.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该等虚设 区包括一与该半导体基板之晶片内区域中之该等 作用区的每一者间隔开的区域。 7.如请求项6之半导体装置制造方法,其中该等虚设 区包括一安置于该晶片内区域中之衬垫形成区域 。 8.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该等虚设 区包括一在该半导体基板之晶片区域之间的区域 。 9.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该等虚设 区包括一在该隔离区中选择之区域。 10.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该等虚 设区包括一在该半导体基板之一晶片内区域中之 单元间区域。 11.如请求项1之半导体装置制造方法,其中该半导 体基板为一矽基板且该薄绝缘膜及该间隔物绝缘 膜为氧化矽膜。 图式简单说明: 图1A至图1I为说明根据本发明之第一实施例之半导 体装置制造方法的主要处理的横截面图。 图2A及图2B为展示一半导体晶圆之结构之一实例的 平面图。 图3为展示用一蚀刻监视器侦测之发射强度之时间 变化的图式。 图4A及图4B为展示一晶片区域中之电路布局之实例 的平面图。 图5为展示一电路中之基础电晶体单元之布局的实 例的平面图。 图6A为展示一衬垫电极结构之一实例的横截面图, 图6B为展示取决于晶片尺寸及衬垫数目之有效侦 测区域之变化的图表,且图6C为展示晶片尺寸与有 效侦测区域之增加之间的关系的图式。 图7A至图7E展示一说明形成侧墙间隔物之流程的处 理流程图。 图8A及图8B为一其中形成一最薄虚设绝缘膜的区域 之横截面图及平面图。 图9A至图9D为根据本发明者所作研究说明一侧墙间 隔物形成方法之主要处理的横截面图。 图10为展示用一蚀刻监视器侦测之发射强度之时 间变化的图式。 图11为展示一习知衬垫电极结构之一实例之横截 面图。 |
