多芯片封装及其方法

摘要

一种多芯片封装结构，包含具有于其上表面内的晶粒接收凹处以及穿过其中的第一穿孔结构的基板，而具有端点垫的电路则形成于第一穿孔结构之下。第一晶粒位于晶粒接收凹处内，第一介电层则形成于第一晶粒以及基板上。第一重分布层形成于第一介电层上，并经由第一穿孔结构耦合至第一晶粒与该端点垫，第二介电层具有形成于第一重分布层上的开口，第二晶粒则附着于第二介电层上。围绕第二晶粒的围绕材料具有对准此开口的第二穿孔结构，第三介电层形成于第二晶粒以及围绕材料上。第二重分布层形成于第三介电层上，并经由第二穿孔结构耦合至第二晶粒的结合垫以及端点垫，保护层则形成于第二重分布层上。

主权项

1.一种多芯片封装结构，其特征为包含：一基板，具有于其上表面内的晶粒接收凹处以及穿过其中的第一穿孔结构，而具有端点垫的电路则形成于该第一穿孔结构之下；一第一晶粒，位于该晶粒接收凹处内；一第一介电层，形成于该第一晶粒以及该基板上；一第一重分布层，形成于该第一介电层上，并经由该第一穿孔结构耦合至该第一晶粒与该端点垫；一第二介电层，具有形成于该第一重分布层上的开口；一第二晶粒，附着于该第二介电层上；一围绕材料，围绕该第二晶粒，并具有对准该开口的第二穿孔结构；一第三介电层，形成于该第二晶粒以及该围绕材料上；一第二重分布层，形成于该第三介电层上，并经由该第二穿孔结构耦合至该第二晶粒以及该端点垫；以及一保护层，形成于该第二重分布层上。