| 发明名称 | 薄膜光电晶体管,应用该光电晶体管的有源矩阵衬底以及应用该衬底的图象扫描装置 | ||
| 摘要 | 栅绝缘薄膜(14)和半导体层(15)层叠在栅极(13)上；源电极(17)和漏电极(18)形成在半导体层(15)上，源电极(17)和漏电极(18)的端部之间有预先确定的间隙。每个源电极(17)和漏电极(18)都包括一个重叠区域(17a和18a)，该重叠区域(17a和18a)的至少一部分具有半透明性。该设置实现了光灵敏度(Ip/Id)的提高，同时不使引线布局或制造工艺复杂化。 | ||
| 申请公布号 | CN100394608C | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN03814348.8 | 申请日期 | 2003.07.03 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 和泉良弘 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01);H01L31/10(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L27/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 1.一种薄膜光电晶体管，包括：一个栅极；一个设置在栅极上的栅绝缘薄膜；一个层叠在栅绝缘薄膜上的感光半导体薄膜；一个设置在感光半导体薄膜上的源电极；和一个设置在感光半导体薄膜上的漏电极，源电极的端部和漏电极的端部分开一个预先确定的距离，源电极和/或漏电极包括一个水平重叠在栅极上的重叠区域，该重叠区域包括至少一个具有半透明性的部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||