| 发明名称 | 一种耦接电容结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种耦接电容结构及其制造方法，该结构形成于一半导体衬底上，包括：一个PiP电容和一个晶体管电容，该PiP电容和晶体管电容并联，该晶体管电容带有预埋注入层，其中：该晶体管电容的源极连接于金属一，该金属一连接PiP电容的第一层Poly；PiP电容的第二层Poly作为晶体管电容的栅极，该层Poly连接金属二。本发明由于采用新的版图设计将PIP电容和晶体管电容并联，能大幅提高单位面积电容，并最终节省芯片面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101197371A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119194.2 | 申请日期 | 2006.12.06 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明;龚顺强 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁;李隽松 |
| 主权项 | 1.一种耦接电容结构，形成于一半导体衬底上，其特征在于，包括：一个PiP电容和一个晶体管电容，所述PiP电容和晶体管电容并联，所述晶体管电容带有预埋注入层，其中：所述晶体管电容的源极连接于金属一，该金属一连接所述PiP电容的第一层Poly；所述PiP电容的第二层Poly作为所述晶体管电容的栅极，该层Poly连接金属二。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||