| 发明名称 | 图像传感器制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了在不用硬掩模的情况下形成光电二极管区和浮置扩散区的CMOS图像传感器制造方法。这种方法能避免在不使用硬掩模的情况下光电二极管区和栅图案区不对准，也能避免执行离子注入工艺时离子经过栅区。 | ||
| 申请公布号 | CN101192572A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710196557.7 | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李相起 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种方法包括：在半导体衬底内形成势垒层；在半导体衬底上面形成第一光刻胶图案；在半导体衬底上面形成包含栅氧化膜图案和多晶硅膜图案的栅图案；在所述第一光刻胶图案上形成第二光刻胶图案；在半导体衬底内形成第一浮置扩散区和光电二极管区；移除第一光刻胶图案和第二光刻胶图案；在包含所述栅氧化膜图案和多晶硅膜图案的半导体衬底上形成多氧化膜；在包含多氧化膜的半导体衬底上形成第三光刻胶图案；以及然后在所述第一浮置扩散区上形成第二浮置扩散区。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||