半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底以及依序形成于衬底上的第一绝缘层、接触插栓、金属布线及第二绝缘层。第一绝缘层具有导通孔。接触插栓形成于导通孔中。金属布线电连接到接触插栓。衬底及第一和第二绝缘层分别包含具有柔性和绝缘特性的第一、第二和第三绝缘高分子物质。接触插栓和金属布线分别包含具有柔性和导电特性的第一和第二导电高分子物质。利用柔性高分子物质来形成半导体器件的构件，使得半导体器件能抵抗碰撞而不易断裂，并因上述半导体器件可用于必须要弯曲的位置而增加了应用于产品的可能性。

主权项

1.一种装置，包括：衬底，具有多个器件模块，所述衬底包含具有柔性和绝缘特性的第一绝缘高分子物质；第一绝缘层，形成于所述衬底上，所述第一绝缘层具有多个导通孔并包含具有柔性和绝缘特性的第二绝缘高分子物质；多个接触插栓，形成于所述多个导通孔中，所述接触插栓包含具有柔性和导电特性的第一导电高分子物质；多个金属布线，形成于所述第一绝缘层上，所述多个金属布线电连接到所述多个接触插栓并包含具有柔性和导电特性的第二导电高分子物质；以及第二绝缘层，形成于所述多个金属布线上，所述第二绝缘层包含具有柔性和绝缘特性的第三绝缘高分子物质。