| 发明名称 | 在半导体衬底中制造半导体元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及在半导体衬底(12)中制造半导体元件的方法，具有以下步骤：在半导体衬底(12)内形成具有不同导电类型的阱(32，34)及形成沟状结构(36，60)，其中阱(32，34)通过注入及向内扩散(26，44)入掺杂剂来产生，及产生半导体衬底(12)中的有源区及它们的接触结构。该方法的特征在于：向内扩散(26，44)通过至少两个高温步骤来产生，其中至少一个第一向内扩散(26)通过在产生沟状结构(36，60)以前的一个第一高温步骤来进行，及其中至少一个第二向内扩散(44)通过在产生沟状结构(36，60)以后的一个第二高温步骤来进行。 | ||
| 申请公布号 | CN100392816C | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200410079827.2 | 申请日期 | 2004.09.20 |
| 申请人 | ATMEL德国有限公司 | 发明人 | 弗朗茨·迪茨;福尔克尔·杜德克;米夏埃多·格拉夫 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 1.在一个半导体衬底(12)中制造半导体元件的方法，具有以下步骤：在该半导体衬底(12)内形成具有不同导电类型的阱(32，34)及形成沟状结构(36，60)，其中这些阱(32，34)通过注入及向内扩散(26，44)入掺杂剂来产生，及产生半导体衬底(12)中的有源区及它们的接触结构，其特征在于：所述向内扩散(26，44)通过至少两个高温步骤来实现，其中至少一个第一向内扩散(26)通过在产生这些沟状结构(36，60)以前的一个第一高温步骤来进行，及其中至少一个第二向内扩散(44)通过在产生这些沟状结构(36，60)以后的一个第二高温步骤来进行。 | ||
| 地址 | 联邦德国海尔布隆 | ||