| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101192642A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710196173.5 | 申请日期 | 2007.11.29 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 新垣实;广畑彻;中嶋和利;菅博文 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/08(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于：包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一III-V族化合物半导体层以及第二III-V族化合物半导体层，所述第一III-V族化合物半导体层或所述第二III-V族化合物半导体层作为光感应层或发光层而起作用，所述第二III-V族化合物半导体层的能带宽度小于所述第一III-V族化合物半导体层的能带宽度，使用铍(Be)或碳(C)作为所述第一III-V族化合物半导体层或所述第二III-V族化合物半导体层中的p型掺杂物。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||