| 发明名称 | 隔离沟槽的填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种隔离沟槽的填充方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有隔离沟槽；执行一高密度等离子化学气相淀积工艺，在所述沟槽中沉积绝缘物质；交替执行一湿法刻蚀工艺和一高密度等离子化学气相淀积工艺，直至所述高密度等离子化学气相淀积工艺淀积的绝缘物质填满所述沟槽。本发明的隔离沟槽填充方法能够避免由含氟刻蚀气体产生的杂质残留物，并提高晶片的平坦程度。 | ||
| 申请公布号 | CN101192559A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118830.X | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑春生;郭佳衢;吴汉明;刘明源 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种隔离沟槽的填充方法，包括：提供一半导体衬底，所述衬底表面具有隔离沟槽；执行一高密度等离子化学气相淀积工艺，在所述沟槽中沉积绝缘物质；交替执行一湿法刻蚀工艺和一高密度等离子化学气相淀积工艺，直至所述高密度等离子化学气相淀积工艺淀积的绝缘物质填满所述沟槽。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||