发明名称 |
可降低光漏电流的薄膜晶体管显示组件及其制造方法 |
摘要 |
一种显示组件,包括形成于一基板上的一栅极、覆盖栅极的一栅极绝缘层、一栅极非晶硅区、一源极金属区、一漏极金属区、一数据线金属区、一保护层和一导电层。栅极非晶硅区系形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方。源极金属区和一漏极金属区系形成于栅极非晶硅区上。数据线金属区系形成于栅极绝缘层上方,且数据线金属区和漏极金属区系相隔一间距。保护层系形成于栅极绝缘层上,并覆盖源极金属区、漏极金属区和数据线金属区,且保护层包括一第一介层洞(first via)及一第二介层洞(second via),以分别暴露数据线金属区的部分表面和漏极金属区的部分表面。导电层系形成于保护层上并覆盖第一介层洞和第二介层洞,以电性连接数据线金属区和漏极金属区。 |
申请公布号 |
CN100392507C |
申请公布日期 |
2008.06.04 |
申请号 |
CN200510076593.0 |
申请日期 |
2005.06.09 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
陈东佑;李刘中 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种显示组件,至少包括:一栅极,系形成于一基板上;一栅极绝缘层,系覆盖该栅极;一栅极非晶硅区,系形成于该栅极绝缘层上且对应地位于该栅极上方,且该栅极非晶硅区的面积小于位于下方的该栅极的面积;一源极金属区和一漏极金属区,系形成于该栅极非晶硅区上;一数据线金属区,系形成于该栅极绝缘层上方,且该数据线金属区和该漏极金属区系相隔一间距;一保护层,系形成于该栅极绝缘层上并覆盖该源极金属区、该漏极金属区和该数据线金属区,且该保护层包括一第一介层洞及一第二介层洞,以分别暴露该数据线金属区的部分表面和该漏极金属区的部分表面;和一导电层,系形成于该保护层上并覆盖该第一介层洞和该第二介层洞以电性连接该数据线金属区和该漏极金属区。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 |