发明名称 | 薄膜电晶体基板及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种薄膜电晶体基板的制造方法,其步骤包括:提供一绝缘基底;于一道光罩制程中,形成对向电极于该绝缘基底;于一道光罩制程中,形成公共电极线、闸极线及闸极于该绝缘基底;于一道光罩制程中,形成一闸极绝缘层及形成一半导体层于该闸极绝缘层;于一道光罩制程中,形成源极及汲极于该半导体层;于一道光罩制程中,形成一保护层及至少一截断区,该截断区使该对向电极与该闸极线之间断开;于一道光罩制程中,形成对应该对向电极设置之像素电极于该保护层。该薄膜电晶体基板的制造方法提高该薄膜电晶体基板的制造良率。本发明还公开一种该薄膜电晶体基板制造方法制造出之薄膜电晶体基板。 | ||
申请公布号 | TW200824125 | 申请公布日期 | 2008.06.01 |
申请号 | TW095143002 | 申请日期 | 2006.11.21 |
申请人 | 群创光电股份有限公司 | 发明人 | 陈弘育;彭家鹏 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 苗栗县竹南镇新竹科学园区科学路160号 |