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发明名称
厚度均匀之介电膜的制作方法
摘要
本发明提供一种厚度均匀之介电膜的制作方法,包含以下步骤:(a)于一反应室内引入一含有氧原子之气体分子及含有氮原子之气体分子其中一者的表面改质剂、(b)施以电浆解离该表面改质剂以于一基材的一表面形成一于外层轨域具有孤对电子的化合物膜,及(c)于该化合物膜上形成一金属化合物之介电膜。该基材是选自M或含有M的矽化物。M是选自铂、镍、钯、铜、银、金,或此等之一组合。
申请公布号
TW200823310
申请公布日期
2008.06.01
申请号
TW095143944
申请日期
2006.11.28
申请人
国立清华大学
发明人
张哲豪;邱彦凯;许家旺;吴泰伯
分类号
H01L21/30(2006.01)
主分类号
H01L21/30(2006.01)
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
新竹市光复路2段101号
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