发明名称 |
增强磁控制等离子体径向分布的约束挡板和流动均衡器 |
摘要 |
本发明公开一种具有等离子体约束和等离子体径向分布性能的等离子体反应器。该反应器包含在腔室中含有侧壁和工件支撑底座并限制底座和侧壁之间的抽吸环的反应器腔室和在抽吸环底部的抽吸口。该反应器进一步包含用于限制气流在轴向方向上通过抽吸环以防止等离子体流到抽吸口。该反应器进一步包含用于补偿由抽吸口的位移引起的在底座上气流图案的不对称性的工具。该反应器进一步包含用于控制具有固有趋势的等离子体分布的工具,以促进边缘高等离子体密度分布。用于限制气流的工具充分降到工件支撑下面,以补偿用于控制等离子体分布的工具的边缘高等离子体分布趋势。 |
申请公布号 |
CN101188189A |
申请公布日期 |
2008.05.28 |
申请号 |
CN200710170253.3 |
申请日期 |
2007.11.15 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
马修·L·米勒;丹尼尔·J·霍夫曼;史蒂文·C·香农;迈克尔·库特尼;詹姆斯·卡杜西;安德鲁·尼古因 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/3065(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01J37/32(2006.01);H05H1/00(2006.01);H05H1/10(2006.01);C23C16/513(2006.01);C23F4/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
1.一种等离子体反应器,包含:腔室,其包含腔室侧壁、顶部和底部;在所述腔室内的工件支撑底座,该工件支撑底座具有工件支撑表面和底座侧壁,所述底座侧壁面向所述腔室侧壁,并从所述腔室底部延伸,并且限定所述腔室侧壁和所述底座侧壁之间的抽吸环;;在所述腔室底部中的抽吸口;环形等离子体约束挡板,其从所述底座侧壁延伸并具有外部边缘,该外部边缘限定所述外部边缘和所述腔室侧壁之间的气流间隙,所述挡板降低到所述工件支撑表面下一段距离,所述距离相应于在所述工件支撑底座的外围处降低的等离子体离子密度;以及气流均衡器,其包含在所述挡板下面并阻抗气流通过所述抽吸环的阻挡板,所述阻抗板限定在所述抽吸口附近一侧的最小气流传导和在所述抽吸口相对一侧上最大气体传导的所述晶圆支撑底座周围的偏心开口,所述阻挡板与所述栅格隔开以限定在该阻挡板与栅格之间的足够长的间隙,从而引起最小气流阻力。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |