非易失性存储器及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种非易失性存储器及其制造方法。该非易失性存储器，其是由基底、金属栅极层、源极区与漏极区、隧穿介电层、电荷陷入层、阻挡介电层以及沟道区所构成。金属栅极层设置在基底上。源极区与漏极区设置于金属栅极层两侧的基底中。隧穿介电层设置于金属栅极层与基底之间。电荷陷入层设置于隧穿介电层与金属栅极层之间，其中电荷陷入层是由多个电荷陷入区块所构成，且这些电荷陷入区块是由一沟渠所分隔。阻挡介电层设置于电荷陷入层与金属栅极层之间，且填满电荷陷入层中的沟渠。沟道区设置于电荷陷入层下方及源极区与漏极区之间的基底中。

主权项

1.一种非易失性存储器，其特征在于该非易失性存储器包括：一基底；一金属栅极层，设置在该基底上；一源极区与一漏极区，该源极区与该漏极区设置于该金属栅极层两侧的该基底中；一隧穿介电层，设置于该金属栅极层与该基底之间，该隧穿介电层的介电常数大于4；一电荷陷入层，设置于该隧穿介电层与该金属栅极层之间，其中该电荷陷入层是由多个电荷陷入区块所构成，且所述多个电荷陷入区块是由一沟渠所分隔，而形成一电荷陷入区块阵列，该电荷陷入区块阵列从该源极区至该漏极区的方向是为列的方向，每一列包括两个电荷陷入区块，每一行则包括n个电荷陷入区块，n为正整数；一阻挡介电层，设置于该电荷陷入层与该金属栅极层之间，且该阻挡介电层填满该电荷陷入层中的所述多个沟渠；以及一沟道区，该沟道区设置在该电荷陷入层下方及该源极区与该漏极区之间的该基底中，该非易失性存储器在未写入资料的状态下，同一列的所述多个电荷陷入区块下方的该沟道区具有相同阈值电压，不同列的所述多个电荷陷入区块则具有不同的阈值电压。