形成微电子电路元件的方法

摘要

描述一种形成微电子电路元件的方法。在支撑层的上表面形成牺牲层。所述牺牲层极薄且均匀。然后在所述牺牲层上形成定高层，此后蚀刻掉所述牺牲层，使得在所述支撑层的上表面和所述定高层的下表面之间留下明确界定的间隙。然后，通过所述间隙从成核硅位置选择性地生长单晶半导体材料。所述单晶半导体材料形成具有厚度与所述原始牺牲层的厚度一致的单晶层。

主权项

1.一种形成微电子电路元件的方法，包括：形成牺牲层，所述牺牲层具有在支撑层的上表面上的下表面，其中所述支撑层形成在半导体单晶衬底的部分上，所述半导体单晶衬底的未被所述支撑层覆盖的开放部分具有成核位置，并且所述牺牲层与所述半导体单晶衬底不连接；形成定高层，所述定高层具有在所述牺牲层的上表面上的下表面；除去牺牲层，从而在所述支撑层的所述上表面和所述定高层的所述下表面之间定义间隙；至少部分地通过所述间隙从所述成核位置生长单晶半导体材料，所述单晶半导体材料的高度由所述间隙的高度定义；图案化所述定高层以在所述单晶半导体材料上形成间隔块；通过在所述单晶半导体材料和所述间隔块的表面上沉积保形层并且回蚀所述保形层，在所述间隔块的侧面形成间隔侧墙；除去所述间隔块；以及利用所述间隔侧墙作为掩模蚀刻所述单晶半导体材料，以从所述单晶半导体材料形成线元件。