发明名称 Strukturen und Verfahren zum Bilden von Feldeffekttransistoren mit abgeschirmtem Gate
摘要
申请公布号 DE112006001697(T5) 申请公布日期 2008.05.21
申请号 DE200611001697T 申请日期 2006.06.29
申请人 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. 发明人 GREBS, THOMAS E.;RIDLEY, RODNEY S.;KRAFT, NATHAN LAWRENCE;DOLNY, GARY M.;YEDINAK, JOSEPH A.;KOCON, CHRISTOPHER BOGUSLAW;CHALLA, ASHOK B.
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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