发明名称 Verfahren und Vorrichtung zur plasmaunterstützten chemischen Dampfphasenabscheidung
摘要 Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Erwärmung von Substraten bei der plasmaunterstützten chemischen Dampfphasenabscheidung zu reduzieren. Dazu sind ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten mittels plasmaunterstützer Dampfphasenabscheidung vorgesehen, bei welchen wäche eines zu beschichtenden Substrats evakuiert und ein Prozessgas mit einer Ausgangssubstanz für die Beschichtung eingelassen wird, wobei die Beschichtung abgeschieden wird, indem durch Einstrahlung elektromagnetischer Energie in der Umgebung der Substratoberfläche, die mit dem Prozessgas ausgefüllt ist, ein Plasma gezündet wird. Die elektromagnetische Energie wird in Form einer Vielzahl von Pulsfolgen, vorzugsweise Mikrowellen- oder Hochfrequenz-Pulsen, mit einer Vielzahl von zeitlich durch erste Pausen beabstandeten Pulsen eingestrahlt, wobei in den Pausen die eingestrahlte elektromagnetische Energie abgeschaltet wird und wobei die Pausen zwischen den Pulsfolgen zumindest einen Faktor 3, vorzugsweise zumindest einen Faktor 5, länger sind als die ersten Pausen zwischen den Pulsen innerhalb einer Pulsfolge.
申请公布号 DE102006053366(A1) 申请公布日期 2008.05.15
申请号 DE200610053366 申请日期 2006.11.10
申请人 SCHOTT AG 发明人 KUEPPER, THOMAS;BEWIG, LARS;MOELLE, CHRISTOPH;BRANDT, LARS;NIKLOS, THOMAS
分类号 C23C16/52 主分类号 C23C16/52
代理机构 代理人
主权项
地址